Se describe, analiza y simula un generador de referencia de voltaje en tecnología IC de GaN para aplicaciones de energía inteligente. También se destaca un procedimiento de diseño sencillo. En comparación con soluciones monolíticas de baja potencia anteriores, la propuesta se basa en una sola rama y en transistores que operan en un umbral sub. El circuito proporciona un voltaje de referencia de casi 2.7 V con un suministro de 4 V a 24 V a temperatura ambiente y con modelos típicos de transistor. El circuito muestra una buena robustez contra grandes variaciones de proceso y mejora la regulación de línea (0.105 %V) junto con una reducción en la ocupación de área (0.05 mm), con un consumo de corriente reducido de 2.7 uA (5 uA) en el caso típico (peor), independientemente del suministro. El coeficiente de temperatura no ajustado es de 200 ppm/ gradosC.