En los procesos avanzados de fabricación de circuitos integrados, la calidad del aplanamiento químico-mecánico es un factor clave que afecta el rendimiento y el rendimiento de los chips. Por lo tanto, se ha vuelto cada vez más importante desarrollar un modelo predictivo preciso para la topografía de la superficie del chip después del aplanamiento químico-mecánico. En el proceso de modelado, el problema del ruido de los datos de medición del microscopio de fuerza atómica es relativamente grave. Para resolver este problema, se estudian y discuten las características de ruido de los datos de medición del microscopio de fuerza atómica para la topografía de la superficie del chip en este campo. Se encuentra que el ruido presente en tales problemas es principalmente provocado por la vibración y la inclinación de la sonda. Se presentan dos tipos de ruido, de baja frecuencia y alta frecuencia, en el dominio del tiempo. Para resolver el problema de ruido en estos datos de modelado, este documento analiza las características espectrales de los datos de medición utilizando la transformada de Fourier, y se propone un proceso compuesto de reducción de ruido de ondaleta-Fourier. El algoritmo se aplica a la reducción de ruido de los datos de superficie del chip del proceso de interconexión de cobre de 32 nm. Los resultados de reducción de ruido se compararon con fotografías de microscopio electrónico de barrido para verificar la eficacia de la reducción de ruido.