En la búsqueda de mejorar el rendimiento general del sistema de semiconductores a medida que la reducción continúa, la disminución de la resistencia en los interconectores y las interfaces de unión se ha convertido en un enfoque crítico. Este estudio explora el uso de grafeno, un material bidimensional altamente conductivo, como una capa interfacial entre capas metálicas y dieléctricas para mejorar la adherencia y estabilidad, al tiempo que se reduce la resistencia de contacto. Las excelentes propiedades de adherencia del grafeno lo convierten en un candidato prometedor para mejorar la fuerza de unión en interfaces metal-dieléctrico. Investigamos los siguientes dos enfoques: el crecimiento directo de grafeno a través de deposición química en fase vapor y la transferencia de grafeno pre-crecido sobre la superficie metálica. Las características de resistencia de contacto de ambos métodos fueron analizadas, con resultados que indican que el grafeno mejora efectivamente la interfaz de unión mientras reduce significativamente la resistencia de contacto. Estos hallazgos sugieren que la incorporación de grafeno como material interfacial podría llevar a un mejor rendimiento en dispositivos semiconductores avanzados, especialmente en aplicaciones como la unión híbrida y la tecnología de interconexión.