Este estudio ha demostrado transistores de alta movilidad de electrones de metal-aislante-semiconductor AlGaN/GaN (MIS-HEMTs) en sustratos de Si con un dieléctrico de compuesto de puerta SiN/SiON. Se investigó el desplazamiento del voltaje umbral en los dispositivos. Los MIS-HEMTs con el dieléctrico de compuesto de puerta SiN/SiON mostraron una uniformidad superior en el voltaje umbral y una pequeña histéresis en el voltaje umbral en comparación con el dispositivo de referencia con dieléctrico de puerta solo de SiN. La variación del voltaje umbral del dispositivo estaba principalmente relacionada con el proceso de atrapamiento por los estados de interfaz, como lo confirmaron los diagramas de bandas de los MIS-HEMTs con diferentes polarizaciones de puerta. Basándose en medidas de capacitancia dependientes de la frecuencia, se extrajeron las densidades de estados de interfaz de los dispositivos con los dieléctricos de puerta compuesto y simple, donde el primero mostró una densidad de estados de interfaz mucho más pequeña. Estos resultados indican que el dieléctrico de compuesto de puerta SiN/SiON puede mejorar efectivamente el rendimiento del dispositivo de los MIS-HEMTs basados en GaN y contribuir al desarrollo de dispositivos electrónicos de GaN de alto rendimiento.