En este documento, proponemos una operación de memoria eficiente en energía, pre-carga selectiva de líneas de coincidencia, basada en un análisis del consumo de energía en la memoria direccionable por contenido ternario (TCAM). Un estudio estadístico revela que, en promedio, se ahorra un 58% de la disipación de energía relacionada con la operación de líneas de coincidencia al desactivar el balanceo innecesario de las líneas de coincidencia. La mejora ha sido simulada y demostrada utilizando tecnología CMOS de 180 nm.