Este documento propone una tecnología de red de coincidencia terminal (TMN), que puede lograr una coincidencia de banda ancha de rectificadores de microondas en un amplio rango de potencia de entrada. Al mismo tiempo, se propone realizar rectificadores de microondas de ultra banda ancha conectando en paralelo dos ramas TMN de diferentes frecuencias. Para verificar esta teoría, se diseñan y realizan dos rectificadores utilizando una sola rama TMN y dos ramas TMN basadas en diodos de barrera Schottky de GaN de alta potencia (SBDs). El rectificador de GaN de una sola TMN logra una eficiencia pico del 72.3% y una eficiencia de conversión de más del 70% en el rango de frecuencia de 1.8-2.7 GHz con 1 W de potencia de entrada, siendo más del 50% eficiente en el rango de potencia de entrada de 16-35 dBm. Beneficiándose de la combinación de potencia de diferentes TMNs de frecuencia, el rectificador de GaN de doble TMNs logra una eficiencia pico del 75.8% y una eficiencia de conversión de más del 70% en la frecuencia de 1.1-3.1 GHz y 1 W de potencia de entrada con un ancho de banda relativo de más del 95.2% y mantiene una alta eficiencia de más del 50% en el rango de potencia de entrada de 15-35 dBm. Las ventajas de la ultra banda ancha, amplio rango de potencia de entrada, alta potencia y alta eficiencia hacen que se espere que el rectificador de GaN con TMNs juegue un papel importante en la transmisión de potencia de microondas (MPT).