Este documento presenta una polaridad de auto-bias conmutable en el rectificador cruzado complementario CMOS para mejorar el perfil de eficiencia de conversión de potencia (PCE) del rectificador en un amplio rango dinámico de potencia de entrada (P). Esta técnica logra esto al cambiar de forma adaptativa la polaridad del bias en el n-MOS para sobredimensionarlo durante baja P y mejorar la sensibilidad, y subdimensionarlo durante alta P para suprimir la pérdida de disparo y la descarga innecesaria del capacitor de acoplamiento. El popular p-MOS auto-bias también se implementa para reducir aún más la pérdida de conducción inversa durante alta P. El rectificador propuesto se fabrica en un proceso CMOS de 40 nm y opera a 900 MHz con una carga de 50 k. El rectificador propuesto logró una PCE máxima del 72.1% y mantuvo un 0.8xPCE en un rango dinámico de P de 11.5 dB.