Método de recocido asistido por microondas para la fabricación a baja temperatura de transistores de lámina delgada de óxido de indio-galio-cinc amorfo
Autores: Kim, Jong-Woo; Park, Seong-Geon; Yang, Min Kyu; Ju, Byeong-Kwon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Método de recocido asistido por microondas para la fabricación a baja temperatura de transistores de lámina delgada de óxido de indio-galio-cinc amorfo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
óxidos amorfos semiconductores
Fabricación a temperatura ambiente
Movilidad de electrones
Proceso de fabricación a baja temperatura
Método de recocido por microondas
Características eléctricas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Comparado con los semiconductores convencionales basados en silicio, los semiconductores de óxido amorfo presentan varias ventajas, incluida la posibilidad de fabricación a temperatura ambiente, excelente uniformidad, alta transmitancia y alta movilidad electrónica.
Descripción
Comparado con los semiconductores convencionales basados en silicio, los semiconductores de óxido amorfo presentan varias ventajas, incluida la posibilidad de fabricación a temperatura ambiente, excelente uniformidad, alta transmitancia y alta movilidad electrónica.