El impacto del recocido de la puerta en la corriente de fuga y la eficiencia de radiofrecuencia en transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN
Autores: Kim, Junhyung; Lee, Gyejung; Cho, Kyujun; Park, Jong Yul; Min, Byoung-Gue; Jeong, Junhyung; Ji, Hong-Gu; Chang, Woojin; Lee, Jong-Min; Kang, Dong-Min
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
El impacto del recocido de la puerta en la corriente de fuga y la eficiencia de radiofrecuencia en transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
HEMTs
Anodización de compuerta
Barrera de AlGaN
Corrientes de fuga
Características CC/RF
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 48
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de movilidad de electrones de alta potencia de nitruro de galio (GaN) son altamente prometedores para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia debido a sus propiedades superiores, como un amplio intervalo de energía y alta densidad de portadores.
Descripción
Los transistores de movilidad de electrones de alta potencia de nitruro de galio (GaN) son altamente prometedores para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia debido a sus propiedades superiores, como un amplio intervalo de energía y alta densidad de portadores.