Un receptor híbrido compacto de banda G heterodino integrado con circuitos integrados de microondas de milímetro y circuitos basados en diodos Schottky
Autores: Huang, Kun; Zhang, Liang; Li, Ruoxue; Tian, Yaoling; He, Yue; Jiang, Jun; Deng, Xianjin; Su, Wei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Un receptor híbrido compacto de banda G heterodino integrado con circuitos integrados de microondas de milímetro y circuitos basados en diodos Schottky
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Hardware híbrido
Módulo receptor
MMICs
Diodo Schottky
Terahercios
Hardware miniaturizado
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 42
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un módulo receptor híbrido compacto de banda G (170-260 GHz) que incorpora tanto Circuitos Integrados de Microondas Milimétricas (MMICs) como un circuito basado en diodo Schottky. Un sextuplicador en chip y un Amplificador de Bajo Ruido (LNA), junto con un Mezclador Subarmónico (SHM) basado en diodo, se integran en el módulo singular demostrado, que está cuidadosamente diseñado y dispuesto con las co-simulaciones en el dominio electromagnético y térmico. A través de esta metodología, se fabrica un módulo receptor de terahercios con un volumen de solo 27 x 20 x 20 mm. Los resultados medidos indican que la ganancia de conversión de doble banda lateral del receptor es de 10.5-17.5 dB de 195 GHz a 230 GHz, mientras que la temperatura de ruido es de 1009-1158 K. Como resultado, este receptor de terahercios proporciona hardware miniaturizado registrado aplicable para sistemas de Integración de Sensado y Comunicación de Terahercios (ISAC).
Descripción
Este documento presenta un módulo receptor híbrido compacto de banda G (170-260 GHz) que incorpora tanto Circuitos Integrados de Microondas Milimétricas (MMICs) como un circuito basado en diodo Schottky. Un sextuplicador en chip y un Amplificador de Bajo Ruido (LNA), junto con un Mezclador Subarmónico (SHM) basado en diodo, se integran en el módulo singular demostrado, que está cuidadosamente diseñado y dispuesto con las co-simulaciones en el dominio electromagnético y térmico. A través de esta metodología, se fabrica un módulo receptor de terahercios con un volumen de solo 27 x 20 x 20 mm. Los resultados medidos indican que la ganancia de conversión de doble banda lateral del receptor es de 10.5-17.5 dB de 195 GHz a 230 GHz, mientras que la temperatura de ruido es de 1009-1158 K. Como resultado, este receptor de terahercios proporciona hardware miniaturizado registrado aplicable para sistemas de Integración de Sensado y Comunicación de Terahercios (ISAC).