Radiación y efectos de recocido en MOSFET de GaN irradiados por electrones de 1 MeV
Autores: Lu, Tongshan; Wang, Chenghua
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Radiación y efectos de recocido en MOSFET de GaN irradiados por electrones de 1 MeV
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Elegido
Radiación
Recocido
Irradiación electrónica
Conductividad
Voltaje de ruptura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se eligen los GaN MOSFET N-canal de 650 V como objeto de investigación para estudiar los efectos de radiación y recocido bajo irradiación de electrones de 1 MeV.
Descripción
En este documento, se eligen los GaN MOSFET N-canal de 650 V como objeto de investigación para estudiar los efectos de radiación y recocido bajo irradiación de electrones de 1 MeV.