Este documento presenta la influencia de diferentes métodos de modulación de ancho de pulso (PWM) en las pérdidas y tensiones térmicas en módulos de potencia de SiC utilizados en un inversor trifásico. La variación de los métodos de PWM impacta directamente en las pérdidas instantáneas en estos semiconductores, resultando en un cambio de temperatura en la unión a la frecuencia fundamental de la corriente de salida del convertidor. Este ciclo térmico puede reducir significativamente la vida útil de estos componentes. Para determinar las pérdidas en los semiconductores, es necesario caracterizar los dispositivos SiC para calcular la potencia instantánea. Se presenta la metodología de caracterización de los dispositivos, el cálculo de la potencia instantánea y temperatura de las matrices de SiC, y la influencia de los diferentes métodos de PWM. Se construye un inversor de 15 kVA para obtener resultados experimentales que confirmen la caracterización y el cálculo de pérdidas, y se muestran los mejores métodos de PWM para aumentar la eficiencia y confiabilidad del inversor trifásico para aplicaciones específicas en aeronaves.