En los puntos cuánticos de nitruro de III (QDs), la tasa de transición óptica es muy baja debido al gran campo electrostático incorporado causado por la polarización espontánea (SP) y los efectos piezoeléctricos (PZ). En este trabajo, estudiamos el potencial de pantalla que es una solución de la ecuación de Hartree autoconsistente teniendo en cuenta el campo electrostático incorporado y su efecto en las características de emisión de luz de los QD de GaN/AlN de wurtzita no polares (WZ). Se encontró que la intensidad de emisión de luz de la estructura de QD de GaN/AlN no polar se espera que sea aproximadamente cuatro veces mayor que la de la estructura de QD de GaN/AlN de plano c (0001) porque los elementos de matriz polarizados en la dirección - en el QD no polar son mayores que en el QD de plano c. Estas predicciones indican que la estructura de QD de GaN/AlN no polar tiene un gran potencial para dispositivos optoelectrónicos altamente eficientes.