La inestabilidad del voltaje umbral en los transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) con compuerta p-GaN ha sido evidenciada en los últimos años. Puede llevar a problemas de confiabilidad en aplicaciones de conmutación y puede ser seguida por otros mecanismos de degradación. En este documento, se aplica un protocolo de medición establecido para los MOSFETs de SiC a los HEMTs de GaN: el protocolo de triple sentido, que utiliza polarización de voltaje para acondicionar la compuerta del transistor. Se ha verificado experimentalmente que el protocolo propuesto aumentó la estabilidad de la medición, incluso para mediciones que siguen al estrés de polarización de voltaje degradante tanto en el drenaje como en la compuerta.