En este documento, se proporciona la verificación operativa de la configuración de transistor apilado, centrándose en el uso de transistores de GaN. La metodología se basa en experimentos simulados y de laboratorio. La configuración de transistor apilado parece ser una solución prometedora para aumentar la capacidad de bloqueo de voltaje de la tecnología GaN para operaciones de alto voltaje. Los transistores de GaN actualmente disponibles están fabricados para 650 V de voltaje de bloqueo. Dispositivos con una capacidad de bloqueo de voltaje más alta no están disponibles actualmente. Por lo tanto, se verificó el módulo apilado, mientras que el enfoque principal estaba en el diseño, verificación y pruebas del circuito de control. Con este propósito, se compararon dos alternativas de tecnología de transistor de GaN. El objetivo principal era alcanzar 800 V de voltaje de bloqueo con una desviación de voltaje aceptable para la potencia nominal de un convertidor semiconductor de potencia.