Una propuesta de MOSFET vertical y análisis electrotermal para circuitos integrados tridimensionales monolíticos
Autores: Zhu, Jia-He; Wang, Da-Wei; Zhao, Wen-Sheng; Dai, Jia-Yun; Wang, Gaofeng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Una propuesta de MOSFET vertical y análisis electrotermal para circuitos integrados tridimensionales monolíticos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
SOI
MOSFET
Características
Temperatura
Simulaciones
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone un innovador MOSFET vertical basado en la tecnología de vias a través del óxido (TOV) para circuitos integrados tridimensionales monolíticos basados en silicio sobre aislante (SOI).
Descripción
En este documento, se propone un innovador MOSFET vertical basado en la tecnología de vias a través del óxido (TOV) para circuitos integrados tridimensionales monolíticos basados en silicio sobre aislante (SOI).