Se han calculado las partes real e imaginaria del índice refractivo complejo de SiNH a partir de primeros principios. Se obtuvieron espectros ópticos para reflectividad, coeficiente de absorción, función de pérdida de energía (ELF) e índice refractivo. Los resultados para SiN están en acuerdo con los resultados teóricos y experimentales disponibles. Para comprender el mecanismo de pérdida de energía de electrones en nitruro de silicio rico en silicio, se investigó la influencia de la relación Si/N, las posiciones de los átomos de Si de acceso y H en y en la superficie del ELF. Se ha encontrado que todos los defectos, como enlaces colgantes en el volumen y superficies, aumentan la intensidad del ELF en el rango de energía baja (por debajo de 10 eV). El H en el volumen y en la superficie tiene un efecto curativo, que puede reducir la intensidad de los picos de pérdida al saturar los enlaces colgantes. El análisis de la estructura electrónica ha confirmado el origen de los cambios en el ELF. Ha demostrado que los cambios en el ELF no solo son afectados por la composición, sino también por las microestructuras de los materiales. Los resultados se pueden utilizar para adaptar las propiedades ópticas, en este caso el ELF de SiN rico en Si, que es esencial para aplicaciones de emisión de electrones secundarios.