Se fabricaron con éxito transistores de película delgada de SnO dopados con Y mediante un proceso sol-gel. Se investigó el efecto de la concentración de Y en las propiedades estructurales, químicas y eléctricas de las películas de SnO procesadas con sol-gel a través de GIXRD, SPM y XPS; también se evaluaron las propiedades de transporte eléctrico correspondientes de la película. El dopante, Y, puede controlar con éxito la concentración de portadores libres al suprimir la formación de vacancias de oxígeno dentro de los semiconductores de SnO debido a su menor electronegatividad y SEP. Con un aumento de Ywt%, se observó que la cristalinidad y la concentración de vacancias de oxígeno disminuyeron, y el modo de operación del transistor de película delgada de SnO cambió de acumulación (normalmente encendido) a modo de mejora (normalmente apagado) con un desplazamiento de V positivo.