Es bien sabido que la implantación de iones es una de las herramientas básicas para la fabricación de dispositivos semiconductores. El proceso de implantación en sí daña, sin embargo, la red cristalográfica del semiconductor. Tal daño puede ser eliminado mediante un adecuado recocido post-implantación del material implantado. El recocido también permite la activación eléctrica del dopante y crea áreas de diferentes tipos eléctricos en un semiconductor. Sin embargo, dicho tratamiento térmico es particularmente desafiante en el caso del nitruro de galio ya que se descompone a una temperatura relativamente baja (~800 grados C) a presión atmosférica. Con el fin de eliminar el daño de implantación en una estructura cristalina de GaN, así como activar los dopantes implantados a ultra alta presión, se propone un proceso de recocido. Será descrito en detalle en este documento. Se discutirá brevemente el GaN de tipo P implantado con magnesio. Se propondrá y demostrará la posibilidad de analizar la difusión de cualquier dopante en GaN en el ejemplo del berilio.