Un mecanismo básico para almacenar datos en celdas de memoria es registrar cambios en cargas electrónicas, fases de material, resistividades, propiedades magnéticas, y así sucesivamente. El cambio en la carga electrónica ha sido ampliamente utilizado en la mayoría de las memorias producidas en masa, como la memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM), memoria de acceso aleatorio estático (SRAM), NOR Flash y NAND Flash. Otras memorias emergentes han recibido una amplia atención por adquirir ventajas adicionales que no se pueden lograr utilizando el cambio en la carga electrónica. Muchos años de estudios nos han demostrado que los problemas de fiabilidad son críticamente importantes en el desarrollo tanto de memorias convencionales como emergentes, con el fin de mejorar el rendimiento del producto. Sin embargo, los temas relacionados con estos problemas son demasiado amplios para cubrir en estas páginas limitadas. En este capítulo de revisión, abordamos varios ejemplos interesantes de problemas relacionados con trampas en dieléctricos para su uso en diversas celdas de memoria. Con fines de ingeniería, es muy importante comprender la relación de las intuiciones físicas logradas y las características electrónicas de los dieléctricos.