Debido a la fuerte absorción óptica de Sb2Se3, la construcción de heterouniones (HJs) mediante el uso de capas delgadas de Sb2Se3 y otros materiales bidimensionales (2D) es fundamental para el diseño y aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos ultradelgados. Sin embargo, la preparación de HJs utilizando Sb2Se3 y otras capas delgadas de dicalcogenuros de metales de transición (TMDC) sigue siendo un desafío. En este caso, se utilizó un método de deposición química en fase vapor (CVD) para preparar capas delgadas de MoS2 de una capa (1L-MoS2) y Sb2Se3. Posteriormente, se utilizó un método de transferencia en seco para construir sus HJs. Los espectros de PL individuales y los resultados de mapeo de PL obtenidos en las HJs indican una inyección de carga desde 1L-MoS2 hacia la escama de Sb2Se3, lo cual fue confirmado por los resultados de la diferencia de potencial de contacto (CPD) obtenidos mediante microscopía de fuerza de sonda de Kelvin (KPFM). Mediciones adicionales indican una alineación de bandas de tipo- con un desplazamiento de banda finalmente determinado en 157 meV. Los resultados obtenidos de las HJs de Sb2Se3/1L-MoS2 beneficiarán el diseño racional de nuevos dispositivos optoelectrónicos ultradelgados basados en nuevas capas absorbentes 2D que funcionan en luz visible.