Impactos de la Polisilicona Flotante en la Protección Contra Descargas Electroestáticas de Componentes de Semiconductor de Óxido Metálico Difundido Lateral de Alto Voltaje Gestionado de Energía
Autores: Mai, Xing-Chen; Chen, Shen-Li; Chen, Hung-Wei; Lee, Yi-Mu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Impactos de la Polisilicona Flotante en la Protección Contra Descargas Electroestáticas de Componentes de Semiconductor de Óxido Metálico Difundido Lateral de Alto Voltaje Gestionado de Energía
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Estudio
Alto voltaje
LDMOS
Estructura
Campo eléctrico
Voltaje de ruptura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 44
Citaciones: Sin citaciones
Este estudio utilizó un proceso TSMC de 0.18 um y 50 V para construir una estructura n-LDMOS de alto voltaje.
Descripción
Este estudio utilizó un proceso TSMC de 0.18 um y 50 V para construir una estructura n-LDMOS de alto voltaje.