Polarización-inversión de carga en interfaces de AlO/GaN a través de un recocido post-deposición
Autores: Kim, Kwangeun; Jang, Jaewon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Polarización-inversión de carga en interfaces de AlO/GaN a través de un recocido post-deposición
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Efectos
Recocido post-deposición
Inversión de carga de polarización
Interfaces AlO/GaN
Densidades de carga
Características eléctricas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
Los efectos del recocido post-deposición (PDA) en la formación de la inversión de carga de polarización en interfaces ultradelgadas AlO/Ga-polar GaN son evaluados mediante el análisis de la flexión de bandas de energía y la medición de la conducción eléctrica.
Descripción
Los efectos del recocido post-deposición (PDA) en la formación de la inversión de carga de polarización en interfaces ultradelgadas AlO/Ga-polar GaN son evaluados mediante el análisis de la flexión de bandas de energía y la medición de la conducción eléctrica.