En este estudio, se discutieron los efectos del sesgo de la compuerta trasera en la pendiente subumbral (subthreshold swing, ) de un transistor de efecto túnel (TFET). Las características electrostáticas del TFET con compuerta trasera se obtuvieron utilizando simulación de diseño asistido por computadora (TCAD) y se explicaron utilizando los conceptos de voltajes de encendido e inversión. Como resultado, disminuyó cuando aumentó el voltaje de la compuerta trasera; este comportamiento se atribuye al aumento resultante en el voltaje de inversión. Además, se encontró que la relación de corriente de encendido y apagado del TFET aumentó con una disminución en debido al voltaje de la compuerta trasera.