Se ha desarrollado un dispositivo de plasticidad dependiente del tiempo de disparo (STDP) con una capa de cambio de conductancia de Ga-Sn-O (GTO) depositada mediante un método de mist-CVD. Primero, se analiza la característica memristiva. A continuación, basado en ello, se determinan las formas de onda de los picos. Finalmente, la característica STDP se confirma con éxito. Este es un informe original sobre la realización de una característica STDP utilizando una película delgada depositada por el método mist-CVD, que se logra mediante las propiedades de GTO y una metodología clara y bien diseñada para realizar una característica STDP a partir de una característica memristiva.