El impacto de una placa de campo de puerta extendida en las características de CC y RF de un transistor de película delgada sin unión
Autores: Hu, Hsin-Hui; Huang, Chun-Lin; Lin, Zong-Yu; Chen, Guan-Ting; Chen, Kun-Ming
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
El impacto de una placa de campo de puerta extendida en las características de CC y RF de un transistor de película delgada sin unión
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Convencional
Desplazamiento de drenaje
Sin juntura
FinTFTs
Placa de campo de compuerta extendida
Voltaje de ruptura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, se fabricaron transistores de película delgada tipo aleta convencionales y de desplazamiento de drenaje sin unión (JL) con y sin placa de campo de compuerta extendida (E-GFP). Los JL FinTFTs de desplazamiento de drenaje mostraron una mayor tensión de ruptura que la convencional. Al extender la GFP sobre la región de desplazamiento de drenaje, se generaron agujeros en la superficie de la región de desplazamiento de drenaje que reducen la resistencia de drenaje. Por lo tanto, el JL FinTFT de desplazamiento de drenaje con E-GFP mostró mejores características de corriente de encendido, ruptura y alta frecuencia que el que no tenía E-GFP. Los resultados también muestran que todas las densidades espectrales de ruido de varios JL FinTFTs siguen una tendencia de 1/ y eran similares en el rango de frecuencia estudiado.
Descripción
En este trabajo, se fabricaron transistores de película delgada tipo aleta convencionales y de desplazamiento de drenaje sin unión (JL) con y sin placa de campo de compuerta extendida (E-GFP). Los JL FinTFTs de desplazamiento de drenaje mostraron una mayor tensión de ruptura que la convencional. Al extender la GFP sobre la región de desplazamiento de drenaje, se generaron agujeros en la superficie de la región de desplazamiento de drenaje que reducen la resistencia de drenaje. Por lo tanto, el JL FinTFT de desplazamiento de drenaje con E-GFP mostró mejores características de corriente de encendido, ruptura y alta frecuencia que el que no tenía E-GFP. Los resultados también muestran que todas las densidades espectrales de ruido de varios JL FinTFTs siguen una tendencia de 1/ y eran similares en el rango de frecuencia estudiado.