Un función físicamente unclonable monostable basada en RCCMs mejorados con una inestabilidad de bits nativos del 0-1.56% a 0.6-1.2 V y 0-75 degreesC
Autores: Della Sala, Riccardo; Bellizia, Davide; Centurelli, Francesco; Scotti, Giuseppe
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Un función físicamente unclonable monostable basada en RCCMs mejorados con una inestabilidad de bits nativos del 0-1.56% a 0.6-1.2 V y 0-75 degreesC
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Función físicamente no clonable
Espejo de corriente de cascode regulado mejorado
Ganancia de bucle
Rama de aumento de ganancia
Resistencia de salida
Consumo de energía estable
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 40
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo se presenta una Función Físicamente No Clonable (PUF) basada en un espejo de corriente de cascode regulado mejorado (IRCCM). El IRCCM propuesto mejora la ganancia del bucle de la rama de aumento de ganancia sobre el PUF RCCM convencional, aumentando así la resistencia de salida y amplificando las desviaciones debido a variaciones aleatorias. La introducción de una corriente de referencia explícita en la rama de polarización del IRCCM resulta en bits nativos inestables más bajos, buena robustez contra variaciones ambientales y consumo de energía muy estable. El PUF propuesto ha sido validado a través de resultados de medición en un chip de prueba implementado en un proceso CMOS de 130 nm. El rendimiento del PUF se midió para voltajes de alimentación entre 0.6 y 1.2V, y temperaturas que van desde 0 grados Celsius a 75 grados Celsius. Una comparación con diseños similares de la literatura ha demostrado que el PUF propuesto exhibe un rendimiento de vanguardia con una mayor fiabilidad bajo variaciones de voltaje de alimentación.
Descripción
En este trabajo se presenta una Función Físicamente No Clonable (PUF) basada en un espejo de corriente de cascode regulado mejorado (IRCCM). El IRCCM propuesto mejora la ganancia del bucle de la rama de aumento de ganancia sobre el PUF RCCM convencional, aumentando así la resistencia de salida y amplificando las desviaciones debido a variaciones aleatorias. La introducción de una corriente de referencia explícita en la rama de polarización del IRCCM resulta en bits nativos inestables más bajos, buena robustez contra variaciones ambientales y consumo de energía muy estable. El PUF propuesto ha sido validado a través de resultados de medición en un chip de prueba implementado en un proceso CMOS de 130 nm. El rendimiento del PUF se midió para voltajes de alimentación entre 0.6 y 1.2V, y temperaturas que van desde 0 grados Celsius a 75 grados Celsius. Una comparación con diseños similares de la literatura ha demostrado que el PUF propuesto exhibe un rendimiento de vanguardia con una mayor fiabilidad bajo variaciones de voltaje de alimentación.