La dispersión electromagnética (EM) puede ser una fuente significativa de degradación en la integridad de la señal y la potencia de interconexiones nanoescala de alto contraste de silicio sobre aislante (SOI), como interconexiones opto-electrónicas u ópticas que operan a 100 s de THz, donde los modelos analíticos bidimensionales (2D) de guías de onda de losa dieléctrica suelen ser utilizados para aproximar la pérdida por dispersión.