La paralelización de dispositivos semiconductores de potencia es inevitable dada su amplia aplicación y explotación en el horizonte extendido de estas aplicaciones. Sin embargo, la paralelización de dispositivos semiconductores de potencia es propensa a un desequilibrio severo correspondiente a las no idealidades de los parámetros del dispositivo, lo que conduce a características dinámicas y estáticas no idénticas de los dispositivos de potencia, así como a las condiciones de funcionamiento y envejecimiento. Por lo tanto, las corrientes suelen ser no uniformes y causan la reducción de la potencia del sistema. Este documento discute y analiza los problemas asociados con la paralelización de dispositivos de potencia IGBT, que pueden provocar problemas de confiabilidad graves. Además, el documento examina las técnicas y metodologías que se han propuesto para reducir el problema del desequilibrio de corriente de dispositivos de potencia conectados en paralelo.