En este documento, proponemos una forma rentable de ajustar la tecnología de proceso de RF para lograr un rendimiento/potencia/área de RF y mmWave bien optimizados mediante la configuración de la parte trasera de línea (BEOL). Este documento sugiere que la altitud más favorable es la de una capa de metal ultra gruesa (UTM) desde el sustrato de silicio, y el esfuerzo también se centra en la calibración de la altura/paso de la vía debajo de la UTM para satisfacer la menor pérdida ohmica en la interfaz entre los componentes activos y pasivos del dispositivo. Implementamos una optimización de proceso en una tecnología de proceso de silicio sobre aislante completamente agotado de 28 nm (FD-SOI), y los resultados muestran mejoras de rendimiento en el inductor, logrando una mejora del factor de calidad del 14.8% y una mejora de la frecuencia de autoresonancia del 13.1%. Este documento también muestra cómo la optimización del proceso impulsa el rendimiento del LNA de 29 GHz, con un aumento del 31.8% en la ganancia y una reducción del 9.1% en la figura de ruido.