En el diseño de amplificadores de potencia de alta frecuencia, es práctica común abordar el diseño de redes de adaptación reactivas utilizando simuladores lineales y apuntando a un límite de pérdida por reflexión (referenciado a la impedancia objetivo). Es bien sabido que esta es solo una técnica de diseño de primera pasada, ya que los contornos de potencia de salida o eficiencia no corresponden a círculos de desajuste. Este documento presenta un método para mejorar la precisión de este enfoque en el caso del diseño de redes de adaptación para amplificadores de potencia basados en tecnología de nitruro de galio (GaN). Se obtienen analíticamente círculos de desajuste equivalentes, que se encuentran dentro de los contornos de potencia o eficiencia apuntados por el diseño, gracias a consideraciones geométricas. Se proporciona una tabla resumen que ofrece los parámetros a utilizar para contornos típicos. La técnica se demuestra en dos ejemplos de diseño de amplificadores de potencia en la banda de 6-12 GHz utilizando el modelo no lineal de gran señal de un Transistor de Movilidad Electrónica de Alta (HEMT) de GaN.