El reflector de Bragg distribuido (DBR) ha sido ampliamente utilizado en microdiodos emisores de luz de microchip (micro-LEDs) debido a su alta reflectividad. Sin embargo, el DBR de doble apilamiento convencional tiene una fuerte dependencia angular y un ancho de banda de reflexión estrecho. Aquí proponemos un DBR de ángulo reflectido amplio TiO/SiO (WRA-DBR) para micro-LEDs de microchip de color rojo basados en AlGaInP y micro-LEDs de microchip de color verde/azul basados en GaN (micro-LEDs de microchip RGB) para superar las desventajas del DBR de doble apilamiento. El WRA-DBR, que consiste en seis sub-DBRs, tiene una alta reflectividad dentro de la región de longitud de onda de la luz visible en un ángulo de incidencia de la luz que va desde 0 grados hasta 60 grados. Además, se investiga numéricamente la influencia del WRA-DBR y del DBR de doble apilamiento en el rendimiento de los micro-LEDs de microchip RGB basándose en el método de dominio temporal de diferencia finita. Debido a una mayor reflectividad y una menor dependencia angular del WRA-DBR, los micro-LEDs de microchip RGB con el WRA-DBR tienen una intensidad de campo eléctrico más fuerte en el lado superior en comparación con los micro-LEDs de microchip RGB con el DBR de doble apilamiento, lo que indica que se pueden extraer más fotones de los micro-LEDs con el WRA-DBR.