Se integró una barrera de unión Schottky y un diodo de canal MOS en los MOSFET planares de SiC para la optimización de las actuaciones en inversa
Autores: Li, Xinyu; He, Feng; Niu, Xiping; Sang, Ling; He, Yawei; Xu, Kaixuan; Tian, Yan; Zhou, Xintian; Jia, Yunpeng; Jin, Rui
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Se integró una barrera de unión Schottky y un diodo de canal MOS en los MOSFET planares de SiC para la optimización de las actuaciones en inversa
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Carburo de silicio
MOSFET
Integrado
Simulaciones TCAD
MCD-JBSFET
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Se propone e investiga en este documento un novedoso MOSFET de carburo de silicio (SiC) plano integrado con diodo de canal MOS (MCD) y diodo Schottky de barrera de unión (JBS) en el mismo chip (MCD-JBSFET), a través de simulaciones de Diseño Asistido por Computadora de Tecnología (TCAD).
Descripción
Se propone e investiga en este documento un novedoso MOSFET de carburo de silicio (SiC) plano integrado con diodo de canal MOS (MCD) y diodo Schottky de barrera de unión (JBS) en el mismo chip (MCD-JBSFET), a través de simulaciones de Diseño Asistido por Computadora de Tecnología (TCAD).