La memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) sirve como un componente crítico en equipos médicos. Dadas las exigentes normas requeridas por los productos de equipos médicos, los fabricantes enfrentan presión para mejorar la calidad de sus productos. Las características eléctricas de estos productos se basan en el valor de resistencia de los componentes de DRAM. Por lo tanto, el propósito de este estudio es optimizar el valor de resistencia de los componentes de DRAM en equipos médicos. Hemos propuesto un marco de trabajo novedoso FMEA-TSTM-NNGA que integra el análisis de modo y efecto de falla (FMEA), el método Taguchi de dos etapas (TSTM), redes neuronales (NN) y algoritmos genéticos (GA) para optimizar el proceso de fabricación. Además, el marco propuesto FMEA-TSTM-NNGA logró una reducción sustancial en los ensayos experimentales, reduciendo el número requerido en un factor de 85.3 en comparación con el método de búsqueda en cuadrícula. Nuestro marco identificó con éxito ajustes óptimos de las condiciones de fabricación para los valores de resistencia de los componentes de DRAM: Tiempo de depósito = 27 s, Flujo de O2 de depósito = 151 sccm, Tiempo de grabado ARC-LTO = 43 s, Presión de grabado ARC-LTO = 97 mTorr, Tiempo de grabado Ox-SiCO = 91 s, Relación de gas Ox-SiCO = 22% y Tiempo de pulido = 84 s. Los resultados ayudaron a la empresa a mejorar el valor de resistencia de los componentes de DRAM de 191.1 x 10 Ohm a 176.84 x 10 Ohm, que está más cerca del valor objetivo de 176.5 x 10 Ohm. El marco FMEA-TSTM-NNGA propuesto está diseñado para operar eficientemente en recursos limitados, facilitando ajustes en tiempo real a los atributos de producción. Esta capacidad permite a los fabricantes de DRAM optimizar rápidamente la calidad del producto.