Método de optimización de la trayectoria de conmutación de SiC MOSFET basado en la unidad de corriente variable
Autores: Lu, Yeqin; Yu, Yannan; Huang, Changbin; Yan, Jichi; Wu, Haoyuan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Método de optimización de la trayectoria de conmutación de SiC MOSFET basado en la unidad de corriente variable
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Carburo de silicio
MOSFETs
Velocidades de conmutación
Resistencia en conducción
Voltaje de ruptura
Temperatura de operación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) muestran un rendimiento superior en comparación con los MOSFET de silicio (Si) tradicionales, caracterizados por velocidades de conmutación más rápidas, menor resistencia en conducción, mayor voltaje de ruptura y mayor tolerancia a la temperatura operativa. Estos atributos hacen que los MOSFET de SiC sean altamente adecuados para aplicaciones en vehículos eléctricos, estaciones de carga y dispositivos móviles.
Descripción
Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) muestran un rendimiento superior en comparación con los MOSFET de silicio (Si) tradicionales, caracterizados por velocidades de conmutación más rápidas, menor resistencia en conducción, mayor voltaje de ruptura y mayor tolerancia a la temperatura operativa. Estos atributos hacen que los MOSFET de SiC sean altamente adecuados para aplicaciones en vehículos eléctricos, estaciones de carga y dispositivos móviles.