Varios estudios sobre transistores de película delgada de óxido semiconductor amorfo (TFT) aplicables a dispositivos de visualización de próxima generación han sido realizados. Para mejorar las características de conmutación deficientes y la estabilidad del sesgo de puerta de los TFT de óxido de aluminio-indio-cinc (AIZO) co-sputterizados, fabricamos TFT de doble capa activa AlO/óxido de indio-cinc (IZO). Al variar la potencia de destino de AlO y la presión parcial de oxígeno en la cámara durante la deposición del canal trasero de AlO, optimizamos las características eléctricas y la estabilidad del sesgo de puerta de los TFT AlO/IZO. Los TFT AlO/IZO, que se fabrican bajo condiciones de 50 W de potencia de destino de AlO y 13% de presión parcial de oxígeno, muestran una alta movilidad de electrones de 23.34 cm/V·s, un bajo voltaje de umbral de 0.96 V, una mejorada relación de corriente de encendido y apagado de 6.8 x 10, y una pendiente de subumbral de 0.61 V/dec. Además, al aumentar la presión parcial de oxígeno en la cámara, los valores de estrés de sesgo positivo y negativo mejoran a +0.32 V y -2.08 V, respectivamente. Se realiza espectroscopia de fotoelectrones de rayos X para revelar la causa de estas mejoras.