La optimización de las propiedades de corriente de fuga impulsada por el auto-calentamiento de los transistores de efecto de campo de puerta-totalmente-circundante utilizando modelado de redes neuronales y algoritmo genético
Autores: Park, Chuntaek; Yun, Ilgu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
La optimización de las propiedades de corriente de fuga impulsada por el auto-calentamiento de los transistores de efecto de campo de puerta-totalmente-circundante utilizando modelado de redes neuronales y algoritmo genético
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nodos de tecnología
Dispositivos semiconductores
Transistores de efecto de campo de canal tridimensional
FETs en forma de aleta
FETs de puerta total alrededor
Efecto de auto-calentamiento
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
A medida que los nodos tecnológicos de los dispositivos semiconductores se han vuelto más finos y complejos, se ha implementado un escalado progresivo para lograr mayores densidades en los dispositivos electrónicos.
Descripción
A medida que los nodos tecnológicos de los dispositivos semiconductores se han vuelto más finos y complejos, se ha implementado un escalado progresivo para lograr mayores densidades en los dispositivos electrónicos.