Mejorando el rendimiento de los diodos emisores de luz basados en GaN mediante la incorporación de una barrera cuántica tipo unión final
Autores: Wang, Jun; Xu, Yiman; Wang, Xiaofei; Xu, Zuyu; Gong, Maogao
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Mejorando el rendimiento de los diodos emisores de luz basados en GaN mediante la incorporación de una barrera cuántica tipo unión final
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Barrera de GaN
Nitruro
LEDs
Rendimiento
Confinamiento de electrones
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone una barrera de GaN de tipo n-i-p para el pozo cuántico final, que está más cerca de la capa de GaN de tipo p, para mejorar la confinación de electrones y la eficiencia de la inyección de huecos en los diodos emisores de luz de nitruro (LEDs).
Descripción
En este documento, se propone una barrera de GaN de tipo n-i-p para el pozo cuántico final, que está más cerca de la capa de GaN de tipo p, para mejorar la confinación de electrones y la eficiencia de la inyección de huecos en los diodos emisores de luz de nitruro (LEDs).