Los MOSFET de potencia especialmente diseñados para sistemas de energía espacial deben cumplir simultáneamente con los requisitos de rendimiento eléctrico y resistencia a la radiación. El diseño de MOSFET de potencia resistente a la radiación (rad-hard) se puede lograr a través de la optimización de la estructura de celdas. Este documento realiza una investigación de los parámetros geométricos de las celdas con impacto significativo en la resistencia a la radiación, y se diseña y fabrica un MOSFET de potencia rad-hard. Los resultados experimentales validan la resistencia de los dispositivos a la dosis total de ionización (TID) y a los efectos de eventos individuales (SEE) para satisfacer adecuadamente la mayoría de los requisitos del sistema de energía espacial, manteniendo un rendimiento eléctrico aceptable.