El presente trabajo propone un doblador de frecuencia de banda ancha de 180-225 GHz en un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) basado en una nueva estructura terminal de diodo de barrera Schottky (SBD) denominada como un borde metálico Schottky (SMB). En comparación con un MMIC que adopta la estructura terminal SBD convencional, las mediciones preliminares muestran que la potencia de salida máxima del MMIC que adopta la estructura SMB aumenta de 0.216 mW a 206 GHz a 0.914 mW a 208 GHz. El análisis de las características no lineales corriente-voltaje y capacitancia-voltaje de las dos estructuras terminales basado en un modelo de deriva-difusión unidimensional extendido, indica que la estructura SMB proporciona una eficiencia de conversión significativamente mejor que la estructura SBD convencional al eliminar la acumulación de carga y rutas de corriente adicionales cerca del borde del electrodo Schottky. Proporciona un esquema factible para la optimización de aplicaciones de MMIC que requieren alta potencia y alta eficiencia.