Enfoque y métodos novedosos para optimizar el diseño de circuitos integrados CMOS de amplificador de bajo ruido altamente sensible para entornos de RF congestionados
Autores: Chung, Jooik; Iliadis, Agis A.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Enfoque y métodos novedosos para optimizar el diseño de circuitos integrados CMOS de amplificador de bajo ruido altamente sensible para entornos de RF congestionados
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Optimización
Evaluación
CMOS
Amplificador de bajo ruido
Algoritmo
Simulación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Este trabajo detalla la optimización y evaluación de un amplificador de bajo ruido CMOS mediante el desarrollo de un nuevo algoritmo para el enfoque y su combinación con un método modificado de índice de figura de mérito. El amplificador incluye elementos de emparejamiento en el chip (como inductores IC) para la resonancia en las frecuencias objetivo. Los resultados de la simulación del modelo LNA optimizado mostraron parámetro de dispersión = 19.91 dB, figura de ruido NF = 3.54 dB y excelente linealidad para el parámetro de intermodulación de tercer orden IIP3 = 5.89 dBm para la frecuencia objetivo de = 2.4 GHz.
Descripción
Este trabajo detalla la optimización y evaluación de un amplificador de bajo ruido CMOS mediante el desarrollo de un nuevo algoritmo para el enfoque y su combinación con un método modificado de índice de figura de mérito. El amplificador incluye elementos de emparejamiento en el chip (como inductores IC) para la resonancia en las frecuencias objetivo. Los resultados de la simulación del modelo LNA optimizado mostraron parámetro de dispersión = 19.91 dB, figura de ruido NF = 3.54 dB y excelente linealidad para el parámetro de intermodulación de tercer orden IIP3 = 5.89 dBm para la frecuencia objetivo de = 2.4 GHz.