Implementación física óptima de circuitos integrados digitales de alta velocidad tolerantes a la radiación en tecnologías de submicrones profundos
Autores: Prinzie, Jeffrey; Appels, Karel; Kulis, Szymon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Implementación física óptima de circuitos integrados digitales de alta velocidad tolerantes a la radiación en tecnologías de submicrones profundos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Novedoso
Escalable
TMR
Resistente a la radiación
Lista de conexiones
CMOS
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un novedoso método de implementación física escalable para circuitos integrados digitales de Triple Modular Redundant (TMR) de alta velocidad en diseños resistentes a la radiación. La implementación utiliza una estrategia de colocación distribuida en comparación con un método de restricción de 3 bancos a granel comúnmente utilizado. La información de la lista de redes TMR se utiliza para restringir de manera óptima la colocación tanto de celdas secuenciales como de celdas combinatorias. Este enfoque reduce significativamente la complejidad del enrutamiento, las longitudes de red y el consumo de energía dinámica en más del 60% y 20% respectivamente. La técnica fue simulada en una tecnología de Óxido Metálico Complementario de 65 nm (CMOS).
Descripción
Este documento presenta un novedoso método de implementación física escalable para circuitos integrados digitales de Triple Modular Redundant (TMR) de alta velocidad en diseños resistentes a la radiación. La implementación utiliza una estrategia de colocación distribuida en comparación con un método de restricción de 3 bancos a granel comúnmente utilizado. La información de la lista de redes TMR se utiliza para restringir de manera óptima la colocación tanto de celdas secuenciales como de celdas combinatorias. Este enfoque reduce significativamente la complejidad del enrutamiento, las longitudes de red y el consumo de energía dinámica en más del 60% y 20% respectivamente. La técnica fue simulada en una tecnología de Óxido Metálico Complementario de 65 nm (CMOS).