El uso de la ley de Moore parece estar llegando a su fin debido a limitaciones tecnológicas y físicas, ya que los transistores de óxido metálico complementario (CMOS) se hacen más pequeños y se acercan a la escala atómica. Por lo tanto, se están investigando diversas tecnologías emergentes como posibles sucesoras de los transistores CMOS tradicionales, y uno de los candidatos más emocionantes es el dispositivo magnetoelectrico de espín-órbita (MESO). El dispositivo MESO consta de dos partes (entrada y salida) y cascada carga/voltaje como señales de entrada y salida. En la parte de salida del dispositivo MESO, se emplean capas ferromagnéticas (FM) y de alto acoplamiento de espín-órbita para proporcionar corriente polarizada por espín y salida de carga/voltaje. En este documento, ofrecemos una descripción y análisis del mecanismo de funcionamiento de la parte de salida del dispositivo MESO utilizando un enfoque de flujo de espín y proponemos una estructura de doble capa ferromagnética. En la estructura de doble capa ferromagnética, implementamos dos capas FM con direcciones de magnetización antiparalelas, en lugar de utilizar una estructura de capa única FM para aumentar la carga/voltaje de salida. La estructura propuesta se verifica a través del modelo compacto Verilog-A.