En este estudio, llevamos a cabo una optimización bayesiana de los parámetros Hubbard U del GaN y InN en estructura wurtzita. Los Us optimizados se prueban luego dentro del enfoque de aproximación de densidad local corregida por Hubbard (LDA+U) en comparación con la teoría de funcionales de densidad estándar, así como con un funcional híbrido (HSE06). Presentamos las estructuras de bandas electrónicas del GaN, InN y la superred (1:1) InGaN. Además, demostramos el rendimiento excepcional de la nueva parametrización al calcular los campos eléctricos internos en una serie de superredes [InN]-[GaN] (n = 2-5) apiladas a lo largo del eje - .