Una estructura mejorada que permite la operación de borrado de agujeros al usar un canal IGZO en una estructura de memoria flash NAND 3D a la que se aplica la estructura COP (Celda-sobre-Peri)
Autores: Choi, Seonjun; Kang, Myounggon; Song, Yun-Heub
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Una estructura mejorada que permite la operación de borrado de agujeros al usar un canal IGZO en una estructura de memoria flash NAND 3D a la que se aplica la estructura COP (Celda-sobre-Peri)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Estructura
IGZO
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Operación
Características
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, propusimos una estructura mejorada de Relleno de IGZO (Indio-Galio-Óxido de Zinc) que puede ser utilizada en una estructura Celda-Sobre-Peri (COP) al mejorar el excelente rendimiento de borrado de la estructura de Pilar de IGZO (IP).
Descripción
En este documento, propusimos una estructura mejorada de Relleno de IGZO (Indio-Galio-Óxido de Zinc) que puede ser utilizada en una estructura Celda-Sobre-Peri (COP) al mejorar el excelente rendimiento de borrado de la estructura de Pilar de IGZO (IP).