Circuito de píxeles OLED-sobre-silicio sin efecto de cuerpo basado en división capacitiva para ampliar el rango de voltaje de datos
Autores: Bae, Jina; Nam, Hyoungsik
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Circuito de píxeles OLED-sobre-silicio sin efecto de cuerpo basado en división capacitiva para ampliar el rango de voltaje de datos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propone
OLED
Circuito de compensación de píxeles
Variación del voltaje umbral
Rango de voltaje de datos
Efecto de cuerpo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Este documento propone un circuito de compensación de píxeles OLED que aborda la variación del voltaje de umbral, el rango estrecho de voltaje de datos y el efecto del cuerpo en un sustrato de transistores basados en silicio. Está compuesto por seis transistores PMOS y dos capacitores. El rango de voltaje de datos se amplía mediante la división de capacitores con dos capacitores, y la conexión de los nodos de fuente y compuerta a la tensión de suministro libera al transistor de accionamiento del efecto del cuerpo. Además, el voltaje de referencia se utiliza para inicializar el voltaje del nodo de compuerta del transistor de accionamiento y ajustar la región de voltaje de datos. A través de la simulación SPICE, se verifica que el error de corriente sobre las variaciones de voltaje de umbral de +/-10 mV se reduce a -1.200% a 0.964% en el rango de corriente máximo de alrededor de 8 nA, y el rango de voltaje de datos se amplía a 3.4 V, en comparación con el amplio rango de error de corriente de -21.46% a 27.36% y el rango de voltaje de datos de 0.41 V en el circuito básico 2T1C. Además, el circuito libre de efecto de cuerpo supera al último circuito 4T1C en el rango de error de corriente de -3.279% a 3.388%.
Descripción
Este documento propone un circuito de compensación de píxeles OLED que aborda la variación del voltaje de umbral, el rango estrecho de voltaje de datos y el efecto del cuerpo en un sustrato de transistores basados en silicio. Está compuesto por seis transistores PMOS y dos capacitores. El rango de voltaje de datos se amplía mediante la división de capacitores con dos capacitores, y la conexión de los nodos de fuente y compuerta a la tensión de suministro libera al transistor de accionamiento del efecto del cuerpo. Además, el voltaje de referencia se utiliza para inicializar el voltaje del nodo de compuerta del transistor de accionamiento y ajustar la región de voltaje de datos. A través de la simulación SPICE, se verifica que el error de corriente sobre las variaciones de voltaje de umbral de +/-10 mV se reduce a -1.200% a 0.964% en el rango de corriente máximo de alrededor de 8 nA, y el rango de voltaje de datos se amplía a 3.4 V, en comparación con el amplio rango de error de corriente de -21.46% a 27.36% y el rango de voltaje de datos de 0.41 V en el circuito básico 2T1C. Además, el circuito libre de efecto de cuerpo supera al último circuito 4T1C en el rango de error de corriente de -3.279% a 3.388%.