Los sustratos de cristal único de GaN se pueden obtener mediante métodos de amonotermal y HVPE para dispositivos electrónicos
Autores: Grabianska, Karolina; Jaroszynski, Piotr; Sidor, Aneta; Bockowski, Michal; Iwinska, Malgorzata
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Los sustratos de cristal único de GaN se pueden obtener mediante métodos de amonotermal y HVPE para dispositivos electrónicos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Resultados
Crecimiento de GaN a granel
Polonia
Tecnologías
Epitaxia de fase vapor haluro
Amonotermal
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Se presentan los resultados recientes del crecimiento de GaN a granel realizado en Polonia. Se describen en detalle dos tecnologías: epitaxia de fase vapor de haluro y amonotermal básica. Se demuestran los procesos y sus resultados (cristales y sustratos). Se muestra cierta información sobre los procedimientos de corte de obleas, por lo tanto, el camino desde el cristal cultivado hasta una oblea lista para la epitaxia. Se presentan brevemente los resultados de otros grupos en el mundo como antecedente para nuestro trabajo.
Descripción
Se presentan los resultados recientes del crecimiento de GaN a granel realizado en Polonia. Se describen en detalle dos tecnologías: epitaxia de fase vapor de haluro y amonotermal básica. Se demuestran los procesos y sus resultados (cristales y sustratos). Se muestra cierta información sobre los procedimientos de corte de obleas, por lo tanto, el camino desde el cristal cultivado hasta una oblea lista para la epitaxia. Se presentan brevemente los resultados de otros grupos en el mundo como antecedente para nuestro trabajo.