En este documento, se estudia un nuevo rectificador de barrera super Schottky de contacto de silicio de clase 120 V con una zanja MOS aislada profunda en una capa de deriva n epitaxial (DOT-SSBR) a través de experimentos, que presenta las zanjas MOS aisladas profundas (DOTs) en una capa epitaxial en comparación con el SSBR convencional. La combinación de SSBR y DOT aumenta claramente la tensión de ruptura, al tiempo que conserva las ventajas significativas del SSBR. El efecto de campo eléctrico de corte por los DOTs en la capa de deriva n epitaxial aumenta el campo eléctrico promedio dentro de la capa de deriva y disminuye el campo eléctrico en la superficie de la mesa cuando el DOT-SSBR propuesto está polarizado en inversa. Después de la optimización adicional de los parámetros de barrera super Schottky (SSB) en la mesa, el DOT-SSBR propuesto mantiene casi el mismo voltaje directo, reduce la corriente de fuga inversa en el voltaje inverso de 50 V en aproximadamente un 10.0%, y aumenta significativamente la tensión de ruptura en aproximadamente un 38.6%, en comparación con el SSBR convencional. También se presentan el proceso de fabricación, las características de alta temperatura medidas de las curvas I-V directas y la corriente de fuga inversa medida, y la corriente de recuperación inversa medida del nuevo dispositivo. También se presenta un análisis de simulación auxiliar para proporcionar información sobre la física del dispositivo.