Un nuevo método para extraer resistencias parásitas dependientes del sesgo de la compuerta en GaAs pHEMTs
Autores: Dang, Ruirui; Yang, Lijie; Lv, Zhihao; Song, Chunyi; Xu, Zhiwei
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Un nuevo método para extraer resistencias parásitas dependientes del sesgo de la compuerta en GaAs pHEMTs
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Gaas pHEMT
Modelos
Señal pequeña
Extracción de parámetros parásitos
Mediciones de parámetros s
Amplificador de potencia
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Los modelos precisos de GaAs pHEMT de señal grande son esenciales para el análisis del rendimiento de los dispositivos y el diseño de circuitos de microondas.
Descripción
Los modelos precisos de GaAs pHEMT de señal grande son esenciales para el análisis del rendimiento de los dispositivos y el diseño de circuitos de microondas.