En este estudio, ampliamos un mapa de seno en 2D mediante la adición del memristor discreto para introducir un nuevo mapa de memristor basado en seno de orden fraccional en 3D. Bajo órdenes conmensurables e inconmensurables, realizamos una exploración y análisis exhaustivos de sus comportamientos dinámicos no lineales, empleando diversas técnicas numéricas, como el análisis de exponentes de Lyapunov, la visualización de retratos de fases y la representación de diagramas de bifurcación. Los resultados enfatizan la sensibilidad del mapa de memristor basado en seno a los parámetros de orden fraccional, lo que resulta en la aparición de patrones dinámicos distintos y diversos. Además, empleamos el método de entropía de muestra y complejidad para medir cuantitativamente la complejidad, y también utilizamos la prueba 0-1 para validar la presencia de caos en el mapa de memristor basado en seno de orden fraccional propuesto. Finalmente, se realizarán simulaciones en MATLAB para confirmar los resultados proporcionados.